存储器开发商Weebit亦然将ReRAM技术扩展到22nm FD-SOI

集微网消息，伊拉克半导体存储器共同开发商Weebit Nano Ltd表示，该子公司早就将其操作系统电阻随机存取存储器（ReRAM）电子技术扩大22nm FD-SOI。

据eeNews路透社，Weebit早就与CEA-Leti研究所合作伙伴设计内存模块，其中所包括一个万兆位的ReRAM块，目标是22nm FD-SOI工艺。2021年，Weebit在12英寸积体电路上采行28nm FD-SOI工艺电子技术测试了可用的1Mbit ream自适应。

格芯在德国德累斯顿的这个原材料终端拥有一个批量FDSOI工艺——22FDX。在SSD无法合理扩大28nm表列出的背景下，这为新兴的非易失性存储电子技术提供者了扩大更为高级终端的希望。

与此同时，操作系统SSD预料不会扩大22nm，这为Weebit提供者了希望，不过相变存储器、磁RAM和金属氧化物ReRAMs也在共同开发中所，以扩大这些终端。

Weebit Nano的总裁兼高管Coby Hanoch在一份发表声明中所表示，“我们继续将Weebit的内存电子技术发展到更为小的几何结构设计，为物联网、5G和人工智慧等应用提供者服务，这推动了在操作系统SSD不再是现实选择的制程终端中所，对新型非易失性内存的需求。”

CEA Leti硅组件管理机构主管Olivier Faynot则在该发表声明中所指出，“将ReRAM电子技术与FD-SOI相结合在一起，对于嵌入式操作系统通讯设备来说是一个不小的希望，它们能够一种新型的非易失性存储器，并将充分利用于其效率和鲁棒性（robust，即在反常和危险情况下系统生存的意志力）。”

(校对/隐德莱希)