台达 MK850 电源评测：讲究原厂情怀的世锦赛产品

设计

+12V 并行逆变器晶体管引入脱离 PCB，与配 PCB 为直插的单建筑设计，逆变器管与续流管共计有 4 个，SR以均为 NVD5C632NLT4G，设计准则是 60V/110A@100 ℃ /2.5mΩ。

+12V 并行逆变器晶体管引入丰宾的矽电容器作为扭矩电容器

+5V 与 +3.3V 引入的是 DC-DC 建筑设计，PWM 依靠器为 uP3861P，两路扭矩以均引入 IPD040N03L 搭配 IPD060N03L，设计准则分别为 60V/76A@100 ℃ /4mΩ 和 60V/50A@100 ℃ /6mΩ。

+5V 静音晶体管

驱动程的单适配器 PCB 上的设计有矽电容器运用于扭矩滤波

现在我们会对所有参校准的晶体管完成 120% 额定功部将下的 230V 切换以均衡扭矩校准试以及纹波校准试，该项校准试的名次不不属于港译百分比的计算之前，单纯是用来观察晶体管的功部将余量。

台将近 MK850 晶体管在机件至 120% 功部将即扭矩 1020W 后，各路扭矩的二极管基本上确保在情况下总体，切换成本的变动也属于情况下覆盖范围内。OPP 过功部将保护措施点经校准定是为 1176W，略低于是额定功部将的 138%，腾出的空间相比较充足，在较低端该游戏平台上适用会相比较精彩。

PS：机件至 120% 功部将是评校准必需，我们却是建议NPC机件晶体管，如果不太可能必需更较低的功部将，请适用额定功部将更较低的产品线。

台将近 MK850 是一款通过了 80Plus 世锦赛评鉴的晶体管，在 230V 切换的自然环境下，扭矩 50W 功部将时其切换成本少于 75%，扭矩 100W 时切换成本少于 86%，半载扭矩成本少于 93%，再加扭矩成本少于 91%，整体平以均成本也少于 91%；在 115V 切换下的切换成本要大略低于 230V 切换自然环境，但半载切换成本 90.4%、再加成本 88% 右侧的平庸一直符合 80Plus 世锦赛评鉴的要求。

按照系统性的法规准则，晶体管的 +5V 静音在 0.1A/0.25A/1A 的扭矩下切换成本应该较低于 50%、60%、70%，空载功部将应小于 1W。台将近 MK850 晶体管的空载静音切换为 0.13W，+5V 静音扭矩二极管仅有，切换成本也确保在较较低总体。

台将近 MK850 晶体管的冷却系统引入的是常规温控调速的系统，并未获取人机停转功能的大力支持，实校准在功部将将近到即 500W 之前，冷却系统基本上都确保在 1050RPM 右侧右的转矩，在功部将少于 500W 后，晶体管冷却系统的转矩开始随着功部将的增强而迅速增强，再加转矩在 2100RPM 右侧右。

二极管小得多限度性

台将近 MK850 晶体管的扭矩二极管平庸颇为出色，+12V 扭矩的最低拉长度与小得多微调部将都能依靠在 2% 以内，+5V 与 +3.3V 的平庸也颇为小得多限度，无论是拉长度还是微调部将都能依靠在 0.5% 以内的技术水平，不太可能兼具了旗舰级产品线的技术水平。

纹波和频谱是晶体管直流扭矩从前夹杂的交流成分，如果用示波器观察，就会见到二极管上下轻微振荡，像水波纹一样，所以称为纹波。按照Intel ATX12V 2.52 规定，+12V、+5V、+3.3V 的扭矩纹波与频谱的 Vp-p（峰顶 - 峰顶参数）分别不得少于 120mV、50mV、50mV。我们适用位数示波器在 20MHz 仿真比特部将下按照Intel法规给治具板校准量点处并接去耦电容器，对晶体管再加以及机件至 120% 功部将下的扭矩纹波完成校准量，以低频下的纹波浪峰顶参数作为打分基准。

台将近 MK850 晶体管在 100% 再加时的 +12V、+5V、+3.3V 低频纹波为 57mV、21mV 和 19mV，机件至 120% 也就是 1020W 后，晶体管扭矩纹波小大幅度的增强至 67mV、25mV 和 23mV，纹波数参数同类HG部顺利完成，机件后的变动大幅度也都处于情况下覆盖范围，话说明晶体管在建筑设计上就留有充足的功部将余量。不过从数参数较低低的尺度来看，在定位接近的产品线之前，台将近 MK850 晶体管的 +12V 扭矩纹波属于稍较低的行列，如果能依靠到 30mV 右侧右的技术水平，那将兼具更较低的市场竞争力。

一个大扭矩校准试项目我们按照 Intel ATX12V 2.52 和 SSI EPS12V 2.92 晶体管建筑设计导师的要求，制定出 850W 晶体管一个大扭矩数学公的单。

相比较的是，我们并非原封照搬建筑设计法规，而只选择其之前相比较有实际意义的 4 个校准试点，分别是一个大扭矩框从前的右侧下、右侧上、左方和右下方四个点。

这四个点的意义分别为：

右侧下角（A 点）：整机最小扭矩；

右侧至右（B 点）：北广场小得多扭矩、12V 最小扭矩，例如多个飞轮BIOS同时重启的情况；

左方角（C 点）：北广场小得多扭矩、整机再加；

右下方（D 点）：12V 小得多扭矩、北广场最小扭矩，例如适用单个矽BIOS调试 3D 该游戏的情况；

校准试点的 X 坐标表示总的 +12V 的功部将，Y 坐标表示 +5V 和 +3.3V 的功部将之和。

一个大扭矩的校准试与上去的以均匀扭矩校准试的发HG师准则一致，二极管拉长额定参数得越少得越好，各路拉长部将准许的参数都为 ±5%。

台将近 MK850 晶体管在 +5V 和 +3.3V 扭矩上适用了 DC to DC 建筑设计，这个建筑设计在一个大扭矩（拉偏校准试）之前是相比较有利的，在不尽不同的扭矩自然环境之前，+5V 与 +3.3V 的扭矩二极管拉长度趋向于都是不同的，+12V 则根据扭矩的较低低有所变动，但都属于情况下覆盖范围，整体平庸颇为出色。

掉电确保短时间（Hold-up Time）是指晶体管掉电再次二极管扭矩参数跌出覆盖范围准许的 5% 的短时间，我们校准量的是 +12V、+5V 和 Power-OK（Power-Good）信号的确保短时间。

SSI EPS12V 2.92 链接晶体管建筑设计导师之前对扭矩二极管确保短时间的要求是晶体管在 75% 的扭矩下确保短时间应该大于 18ms，而 Power-OK 信号的确保短时间要求是大于 17ms。

掉电确保短时间如此受关注，是因为其很大持续性上关系到硬体的寿命，Power-OK 确保 17ms 意味着面对 17ms 以内的掉电情况时的电脑能长时间调试而不出现出现异常、重启的情形，而各路二极管确保 18ms 或者很短的短时间，是为了在掉电发生时各个硬体能够做出抢险管控，比如飞轮BIOS的磁带归位 、SSD 的掉电保护措施。

台将近 MK850 晶体管的确保短时间是在 75% 扭矩（DC 扭矩 637.5W）的情况下校准得。

对于 +12V 和 +5V，合格的准则是确保短时间等于或者大于 18ms，Power-OK（或者称 PG，Power-Good）短时间应该等于或者大于 17ms。台将近 MK850 晶体管的 +12V 确保短时间为 36ms，+5V 为 36.8ms，Power-OK 为 30.4ms，三项确保短时间同类HG部顺利完成且余量颇为充足。

按照我们现在的评分准则，台将近 MK850 晶体管的港译百分比为 90.02 分，不太可能将近到顶尖晶体管的总体，适合追求晶体管性能的NPC选用。

台将近 MK850 晶体管在二极管小得多限度性、确保短时间等方面有出色的平庸，切换成本不太可能将近到 80Plus 世锦赛评鉴要求，在都只定位的产品线之前处于平以均技术水平，整体建筑设计走得是简约风格，给人一种沉稳准确的感觉，是一款建筑设计上相比较纯粹的较低性能 PC 晶体管产品线。

不过台将近 MK850 晶体管暂时还有一点是一款得有的产品线，首先其作为 850W 高至产品线，19cm 的间隔在今天来看其实好像 " 不能接受 "，毕竟都只高至的产品线大部分都不太可能解决问题了 16cm 甚至更短的 15cm、14cm 间隔，且性能基本上可以确保出色技术水平，MK850 的 19cm 间隔某种意义上是要求了紧凑HG该游戏平台；此均 19cm 的间隔标配的却是 12cm 空调系统冷却系统也好像变得头重脚轻，如此充足的空间其实是可以标配 14cm 冷却系统的；此均晶体管的扭矩纹波在同高至产品线之前也是属于大略较低的技术水平，一定持续性上影响了晶体管的最终赞扬。

晶体管迷你捷径榜上 （原始晶体管捷径榜上）

现在台将近 MK850 晶体管的市场市价是 999 元，可独享 10 年质保服务，生产成本与整体平庸是相符的，但性价比有一点很较低，对于有 " 原厂伤感 " 的NPC来话说是一个参数得权衡的产品线，但如果想在NPC族裔沦为首选产品线，那还是必需进一步的完善来增强自己的竞争力。

√ 优点：

- 80Plus 世锦赛评鉴

- 同类HG驱动程的单适配器建筑设计

- 10 年质保

- 扭矩二极管小得多限度

- 确保短时间充足

X 缺点：

- 19cm 间隔基本要求了紧凑HG该游戏平台

- 扭矩纹波在同级产品线之前属于偏较低总体

。

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